半导体物理考研的考试内容主要包括以下几个方面：
半导体的晶格结构和电子状态：
包括半导体的分类、性质、导电能力、化学键性质、晶体结构（如金刚石结构、闪锌矿结构）以及电子状态与能带等。
杂质和缺陷能级：
涉及杂质能级（如施主能级和受主能级）、n型半导体和p型半导体、杂质补偿作用等。
载流子的统计分布：
包括费米分布函数、载流子浓度对费米能级的依赖关系（态密度、载流子浓度）、本征载流子浓度和非本征载流子浓度等。
载流子的散射及电导问题：
涉及载流子的漂移运动与散射运动、迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等。
非平衡载流子的产生、复合及其运动规律：
包括非平衡载流子的注入、复合与寿命、准费米能级、复合理论、陷阱效应、电流密度方程和连续性方程等。
半导体的表面和界面：
涉及表面态及表面电场效应、MIS结构电容-电压特性、硅-二氧化硅系统的性质等。
半导体的光热磁压阻等物理现象：
包括半导体的光学常数、光吸收、光电导效应、光生伏特效应等。
p-n结理论：
包括p-n结及其能带图、p-n结电流电压特性等。
金属-半导体接触理论：
包括金属-半导体接触（如金-半接触、欧姆接触）及其整流理论等。
半导体光电效应：
涉及半导体的光学常数、光吸收、光电导效应、光生伏特效应等。
考试形式通常为闭卷、笔试，考试时间为180分钟，满分为150分。题型结构大致包括选择题和填空题（占50分）、简答题（包含名词解释，占40分）和论述题（占60分）。
建议考生在复习时，重点掌握上述各部分内容，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。同时，建议结合实验和专题训练，以提高分析和解决问题的能力。
